2019年，美国掀起了一场史无前例的半导体封锁战。最狠的一刀，就是把ASML的EUV光刻机彻底挡在中国大门之外。

那时候中国芯片制造正冲刺7nm节点，EUV的缺席意味着5nm以下几乎无解。外媒当时一口咬定：中国芯片梦，终点已到。

但几年过去，剧情反转。中国不但没被封死，反而在一条没人看好的小路上，走出了自己的技术大突破。

一项看似冷门的“异质CFET”技术登上《自然》，还真绕开了EUV那道“鬼门关”。那么，这条路到底能不能走通？EUV真的就可以不用了吗？

光刻机之外，封锁的网织得有多密

从2018年开始，美国对中国半导体的围堵就是一步步收紧的。先是EDA软件，接着是先进材料和设备，再然后是DUV光刻机也开始“限期审查”。

等到2020年，ASML的EUV出口彻底被叫停，连DUV设备的维修零件都卡得死死的。

EUV光刻机的作用很直白，就是让芯片“刻”得更细。没了它，想搞5nm以下的芯片几乎不可能。

DUV虽然还能用，但得用上N重曝光，既费钱又费时间，良率还惨不忍睹。就像拿毛笔去画纳米级别的图，一笔下去全糊了。

那几年，台积电和三星已经开始量产3nm，而中国大陆还在啃14nm的硬骨头。看上去只差两代，实则差了两个时代。西方媒体当时的调子也很统一：中国被锁死在技术低地，追也追不上了。

但这个封锁计划太“理想主义”了。现实是，被逼到墙角的中国科研团队，干脆换了个思路，打算从底层结构上来场彻底的技术翻盘。

复旦大学扔下的技术炸弹

2022年底，复旦大学微电子学院在《自然·电子学》上发表了一篇论文，这是个能让芯片设计发生根本变化的东西。

这项研究的核心在于一种叫“异质CFET”的结构。简单说，就是把原本横着放的晶体管叠着往上放，还用了二硫化钼这种二维材料做“上层通道”。

这样一来，传统CFET里最难搞的横向刻蚀问题直接绕过，EUV也就不是“刚需”了。

更关键的是，这整个工艺只用了28nm以上的成熟产线，也就是DUV设备就能搞定。

过去，CFET被认为是1.4nm以后的高端路线，最早也得2030年才用得上。但复旦这波操作，相当于把2030年的技术提前到了现在，还不需要EUV就能实现。

从图纸到晶圆，“无极”掀开新一页

论文震撼归震撼，真正打动业界的，是2025年初，中国发布了一颗32位RISC-V架构的二维混合处理器，名字就叫“无极”。

“无极”采用的就是复旦团队的结构设计，DUV产线流片，晶圆尺寸从4英寸升级到8英寸，性能指标在量产芯片里也不掉队。

不只是处理器，连配套的闪存芯片也是二维材料与硅基混合结构，全链路打通。

更令人意外的是，中国这条路线的成本低得惊人。西方在EUV上的投入大量资金，而异质CFET技术只需要成熟产线配合新材料，性价比几乎“碾压式优势”。

反手变成了推手

这其实就是封锁政策最大的“副作用”：它原本是想断掉中国继续前进的后路，结果反而把中国推向了新的技术岔路口。

不是每条路都需要铺光刻机跑，有时候换条路，反而走得更快。

EUV曾是先进制程的“护城河”，现在却未必是唯一的通道。从这一步开始，全球半导体的竞争可能从“谁的刻刀更细”转向“谁的材料更聪明”。中国在这方面起步晚，但起跳点高，反应速度快。

西方国家还在为EUV后续的High-NA设备投入天价，而中国这边已经在二硫化钼、黑磷等材料上做出实物芯片。

这种差异，就像一个花几十亿造高速路，一个绕山打了个隧道，最后谁快还真不好说。

新规则的制定者，会不会是后来者？

这场从封锁到突破的技术转变，并不只是一次偶然的科研事件。它背后反映的是中国在底层技术路线上的战略调整。过去是追赶先进制程，现在是换思路搞原创架构。逻辑完全变了。

异质CFET不是孤立存在的。今年国内多所高校和研究所都在推进二维材料的异构集成技术，目标就是让这些“纸上谈兵”的科研成果真正落地成为芯片产品。

接下来的关键在于如何把8英寸晶圆的实验成果，推向12英寸的大规模量产。

产业化从来不是技术问题，而是工程问题。良率、成本、稳定性，都是要逐一解决的坎。

但不论这条路最终能不能走到商业终点，中国确实已经不再把“买到EUV”当成唯一出路。

尾声

半导体领域的竞争，已经从工具之争变成了路线之争。封锁本是锁链，现在却变成了推手。谁能定义后摩尔时代，还真不一定是现在跑在前头的那家。

信息来源：我国集成电路研究取得突破——复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管 2022-12-10 13:23·新民网

突破硅基材料和集成规模！复旦团队研制二维半导体芯片“无极”，成果登《自然》主刊 作者：殷梦昊、丁超逸摄影：武新明 来源：融媒体中心发布时间：2025-04-03 复旦大学官方网站