鸿扬半导体申请半导体装置与其制造方法专利，可降低半导体装置导通电阻

金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方法”的专利，公开号CN119907253A，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，一种制造半导体装置的方法包含在基板上形成磊晶层，在磊晶层中形成阱区与源极区，在磊晶层中形成第一沟槽，且第一沟槽的角落具有朝阱区突出的圆角，在磊晶层中形成第二沟槽，第二沟槽的底部高于第一沟槽的底部，且第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度，以及在第一沟槽与第二沟槽中形成栅极结构。本揭露中的半导体装置可避免栅极结构的角落电场集中，因此可以降低半导体装置的导通电阻。

本文源自金融界