国产从3个方向围攻ASML，一旦突破EUV光刻机，芯片战就结束了

在芯片领域，ASML的地位是超然的。

因为目前所有的大规模芯片制造，都是基于光刻机技术，所以光刻机是最核心、最重要的设备，而ASML是全球最强的光刻机厂商。

整个光刻机市场，ASML占了85%以上，特别是在顶级的EUV光刻机上，ASML的份额为100%，所以像台积电、三星、intel等，所有顶级晶圆厂，都依赖ASML，都要找ASML买EUV光刻机。

一旦这些厂商买不到EUV光刻机，那么芯片技术，就要被锁定在7nm无法前进了，因为7nm之下的芯片，离不开EUV。

而问题也在这里，美国不允许ASML销售EUV光刻机给中国，甚至先进的浸润式DUV都有禁令，无法随意卖给中国的一些企业。

所以，对于我们来说，基本上就很难进入7nm之下了，因为没有EUV光刻机，EUV光刻机可以说也是中美芯片战最核心的设备。

为了突破这个封锁，我们一直在努力，特别是在光刻机上，进行了各种深度突破。

从目前的情况来看，我们已经形成了三条路线，来围攻ASML，并且也取得了非常好的成绩，一旦我们突破了EUV，那么中美芯片战，就可以立即结束，没有意义了。

那么是哪三条路线呢？第一条就是上海微电子的路线，这是与ASML的路线是一样的，从DUV、到浸润式DUV，再到EUV，传统的、成熟的路线。

不过，目前这条路线，与ASML相差还较远，去年曝光的氟化氩光刻机，193nm，套刻精度小于等于8nm，还属于DUV的范畴，上面还有浸润式DUV，才到EUV，所以差距较大。

第二条路线是纳米压印，前几天璞璘科技已经官宣了，他们自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，已经交付给客户了。

这台纳米压印设备，线宽＜10nm ，能够用于储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等领域，这台设备，已经是量产的设备，不是PPT，不是理论上的。

第三条路线，则是EBL电子束技术，浙江大学成果转化基地孵化出来的，推出首台国产商业化电子束光刻机 “羲之”，并且它也不是PPT，不是理论上的，而是已经生产出来了。

这台EBL光刻机，精度达 0.6nm、线宽 8nm，无需掩膜版，可直接在硅晶圆上进行芯片电路图的刻录。

理论上来讲，这台纳米压印机、EBL电子束光刻机，其实是达到了EUV光刻机的精度的，因为ASML的第一代EUV光刻机，线宽是13nm的，第二代EUV光刻机，线宽是8nm。不过不管是纳米压印，还是EBL电子束，目前应该都达不到EUV的效率、性能，分辨率，生态方面也不完善，毕竟芯片制造，需要几百种设备的协调，可不是只有光刻机就行的。

但是很明显，目前国内在EUV光刻机领域，已经有3种方案了，一种是ASML的方案在稳步推进，一种是纳米压印，一种是EBL电子束技术。

任何一种技术突破，达到EUV的性能和水平，那么中国的芯片产业就再也挡不住了，中美芯片战就结束了，美国再也打压不了了。