南京邮电大学等取得集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法专利

金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,南京邮电大学、南京邮电大学南通研究院有限公司取得一项名为“集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法”的专利,授权公告号CN117766566B,申请日期为2024年01月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-08-23

标签:科技   沟槽   碳化硅   南京   纵向   介质   功率   器件   邮电大学   专利   金融界   国家知识产权局   南通   研究院

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