上海华力取得FinFET中单扩散区切断结构的制造方法专利

金融界2025年4月25日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“FinFET中单扩散区切断结构的制造方法”的专利,授权公告号CN114121808B,申请日期为2021年11月。

天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2062次,专利信息2273条,此外企业还拥有行政许可343个。

本文源自金融界

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更新时间:2025-04-29

标签:国家知识产权局   上海   专利   大数   天眼   上海市   金融界   集成电路   结构   方法   科技   信息   企业   华力

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