爱思开新材料申请含硅膜的蚀刻方法及包括其的半导体器件的制造方法专利,一种蚀刻含硅膜的创新方法

金融界2025年5月3日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开新材料有限公司申请一项名为“含硅膜的蚀刻方法及包括其的半导体器件的制造方法”的专利,公开号CN119905399A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明涉及一种含硅膜的蚀刻方法,更详细地,涉及一种使用含亚硝酰氟(FNO)的蚀刻气体蚀刻含硅膜的方法及包括其的半导体器件的制造方法。

本文源自金融界

展开阅读全文

更新时间:2025-05-05

标签:科技   方法   专利   材料   半导体器件   金融界   国家知识产权局   材料有限公司   气体   摘要   本文   日期

1 2 3 4 5

上滑加载更多 ↓
推荐阅读:
友情链接:
更多:

本站资料均由网友自行发布提供,仅用于学习交流。如有版权问题,请与我联系,QQ:4156828  

© CopyRight 2020- All Rights Reserved. Powered By bs178.com 闽ICP备11008920号
闽公网安备35020302034844号

Top