扬杰科技获得发明专利授权：“一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法”，专利申请号为CN202210739161.7，授权日为2025年4月18日。

专利摘要：一种Si基GaN?HEMT器件的制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤:S100，在外延片上制备U型槽；S200，在U型槽内从下而上依次制备P型Si和N型Si；S300，在U型槽内制备SiO2薄膜；S400，在U型槽中制备多晶硅；S500，在多晶硅的上方制备栅电极；S600，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极；S700，背面处理，并制备源电极。进一步，步骤S100中，所述外延片包括在Si衬底上依次形成的缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层。本发明节约了芯片表面源极PAD区域面积；避免了目前主流的P?GaN增强型器件刻蚀引起的界面态问题和高频电流崩塌效应，从而推动Si基GaN HEMT在电力电子领域的发展和应用。

今年以来扬杰科技新获得专利授权28个，较去年同期增加了3.7%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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