诺维晶科申请氧化镓系半导体单晶培育方法专利，控制单晶中的空隙的密度和平均长度

金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，诺维晶科股份有限公司申请一项名为“单晶的培育方法、半导体基板的制造方法以及半导体基板”的专利，公开号CN120077169A，申请日期为2023年08月。

专利摘要显示，提供一种单晶的培育方法，其是氧化镓系半导体的单晶的培育方法，包含从单晶的原料熔融而成的熔体在氧化性气氛下生长单晶的工序，通过单晶的Si浓度与Sn浓度的相对值，来控制单晶中的空隙的密度和平均长度。

本文源自金融界