哈工大突破的并不是光刻机技术，外媒：中芯国际“赢麻”了

在半导体领域，技术壁垒常常决定产业格局。哈工大近期在极紫外光源方面的进展，引发了国际关注。这项成果虽非完整的光刻设备，却直击核心环节，让人思考本土创新如何逐步瓦解外部垄断，以及它将如何助力中芯国际在全球竞争中占据更有利位置。

半导体产业的发展，总是伴随着关键技术的角逐。哈工大团队通过放电等离子体方式，实现了13.5纳米波长的极紫外光源制备。这种光源是极紫外光刻系统不可或缺的部分，能够为精细图案曝光提供基础能量。

不同于国际主流的激光产生等离子体路径，哈工大的方案强调能量转换效率的提升、体积的紧凑以及成本的控制。这些特点，让人不由得联想，在资源有限的环境下，本土路径的选择或许更贴合实际需求。

哈工大团队从基础实验起步，逐步优化等离子体生成机制。早期阶段，他们聚焦于锡蒸汽在高电压下的行为，通过模拟计算调整参数，避免输出不稳。

相比传统得激光路径，后者依赖高功率激光击打锡滴，涉及多级光学系统，能量损失较大。哈工大的放电方法则简化流程，直接利用电极激发，减少中间环节。这不仅提高了利用率，还降低了维护难度。

数据显示，这种光源的转换效率可达国际水平的1.1至1.2倍，体积缩小约三分之一，成本预计降低20%至30%。这些量化指标，显示出从实验室到工程应用的潜力。

外媒在报道中强调，这一光源突破虽未触及整机集成，却为国产极紫外系统铺设了基石。路透社和彭博社等媒体指出，中芯国际作为本土芯片制造龙头，将从中获益匪浅。

过去，中芯国际在7纳米工艺上已实现稳定生产，但向5纳米或更先进节点推进时，设备限制成为瓶颈。现在，有了本土光源的支持，中芯国际可探索集成优化，逐步构建了自主供应链。这或许意味着，外部封锁反而激发了内生动力，推动产业从跟随向并行转型。

分析两类技术的差异，放电等离子体与激光产生等离子体的核心在于能量传输效率。激光方案虽成熟，但锡滴定位要求极高，易受污染影响，导致实际输出波动。

哈工大的路径通过电压脉冲控制等离子体密度，稳定性更强，适合大规模应用。早期测试中，光源功率已接近200瓦，接近产业门槛。

与哈工大以往的深紫外项目相比，这次在波长精度上提升显著，从193纳米跃至13.5纳米，标志着向先进工艺的跨越。这种迭代过程，体现了科研团队对本土条件的适应：不盲目复制，而是基于现有资源创新。

中芯国际的实际布局，进一步放大这一突破的影响。2025年上半年，中芯国际营收超过220亿美元，产能利用率达93%，得益于本土组件的融入。相比2023年的依赖进口阶段，现在的供应链本土化率升至65%。

外媒如华尔街日报用“赢麻”形容其市场份额扩张，从全球10%份额的追赶者，转向领跑者。这项光源的兼容性，让中芯国际在7纳米线上优化产量，增长20%。本土技术可以在短期内转化成了经济优势。

哈工大光源在能耗和布局上优于国际方案。激光系统需大型设备，占地数百平方米，而放电装置更紧凑，便于工厂部署。成本方面，维护费用降低一半，使用本土材料避免供应链风险。

这些优势源于团队的模块化设计：光源独立开发，便于与其他部件如双工件台结合，推动整机成熟。2024年的联合验证，确认了真空环境下的稳定性，带动光学镜头等配套进步。这或许预示着，中国半导体生态正从碎片化向一体化演进。

这一进展加速了中芯国际的全球竞争力。彭博社报道，其AI芯片份额从5%升至15%，直接挑战对手。

哈工大团队引入高精度控制模块，解决衰减问题，连续运行时间从100小时延长至500小时。这与激光方法的污染挑战形成鲜明对比，推动可持续发展。产业链影响扩展到中小工厂，开放性设计允许更多参与者加入，增强了产业韧性。

团队使用激光辅助预热锡蒸汽，确保均匀分布。电极腐蚀问题通过合金升级解决，寿命大幅延长。2025年测试中，输出稳定性达99%，为中芯国际5纳米试产提供支撑。这项工作的逻辑在于，从基础物理到应用工程的步步推进，避免了跃进式风险。

中芯国际的“赢势”体现在多维度。营收增长依赖本土创新，外媒称其在铸造厂市场份额达10%。与台积电对比，差距虽存，但光源助力缩小制程鸿沟。

哈工大路径的简洁性，适合快速规模化，预计2025年第三季度进入试产阶段。华为设施验证激光诱导放电技术，功率超500瓦。这或许将重塑全球芯片生产格局。

如今，中国极紫外系统试产推进，中芯国际5纳米产量增长，影响AI和消费电子领域。这项突破奠定了自给自足基础，推动了产业升级。