小米实现3nm芯片研发设计突破！半导体材料ETF（562590）盘中持续溢价

截至5月19日收盘，中证半导体材料设备主题指数上涨0.68%，成分股富创精密上涨8.08%，三佳科技上涨4.85%，华海诚科上涨4.33%，金宏气体上涨3.63%，沪硅产业上涨2.86%。半导体材料ETF（562590）上涨0.47%，最新价报1.07元。

流动性方面，半导体材料ETF盘中换手2.31%，成交738.39万元。整体来看，半导体材料ETF（562590）盘中交易活跃，持续出现溢价。份额方面，半导体材料ETF最新份额达3.00亿份，创近1月新高。

从资金净流入方面来看，半导体材料ETF近6天获得连续资金净流入，最高单日获得542.63万元净流入，合计“吸金”1732.02万元，日均净流入达288.67万元。

消息方面，今日小米集团创始人、董事长兼CEO雷军在个人社交平台发布消息，小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。

2024年，中国集成电路出口额首次突破万亿元大关，从设计、制造到封装测试，我国半导体产业链各个环节都取得了显著进展，小米突破3nm先进制程设计是我国半导体产业又一个令人振奋的好消息。

半导体材料ETF（562590）及其联接基金（A/C：020356；020357）紧密跟踪中证半导体材料设备指数，指数中半导体设备（55.8%）、半导体材料（21.3%）占比靠前，合计权重超77%，充分聚焦指数主题，锚定半导体产业发展，精准锚定芯片制造相关领域，覆盖光刻胶、大硅片、刻蚀机等关键赛道，直击芯片产业国产化刚需，为投资者捕捉半导体产业升级红利。

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