金融界2025年4月22日消息,国家知识产权局信息显示,南昌大学和南昌硅基半导体科技有限公司取得一项名为“一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置”的专利,授权公告号CN112376035B,申请日期为2020年11月。
本文源自金融界
更新时间:2025-04-24
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