俄罗斯：我们拥有EUV光刻机核心技术，会比中国更快造出光刻机！

俄罗斯科学院在2025年9月底公布的EUV光刻设备路线图，引发国际半导体圈的广泛讨论。

这份从2026年至2037年的规划，宣称俄罗斯已掌握光源和反射镜等关键部件的核心技术，并预计能在亚10纳米制程上实现突破，甚至声称将领先中国完成整机开发。

从全球芯片供应链的视角看，这一表态并非孤立事件，而是地缘政治与技术封锁交织下的产物。

美国主导的出口管制持续加码，ASML的EUV设备对中俄两国出口受限，这迫使两国加速本土化进程。

俄罗斯的声明看似自信满满，却需放在其历史积累和现实制约中审视，以免被表面宣传所误导。

这份路线图的核心在于采用11.2纳米波长的光源方案，这与ASML主导的13.5纳米标准形成鲜明分野。

俄罗斯微结构物理研究所强调，他们的氙气等离子体激发技术，能通过高电压放电产生稳定辐射，避开锡液滴激光的复杂性，从而降低制造门槛和成本。

公开资料显示，这一路径源于苏联时代上世纪70年代的实验室探索，当时已验证过等离子体团簇的辐射特性。

进入21世纪，俄罗斯虽因资金短缺和人才外流而停滞，但2025年上半年，他们在光源功率上取得小幅进展，从实验室的50瓦输出提升至60瓦，标志着从理论到中试的初步过渡。

这种技术选择，本意是规避专利壁垒，但也暴露了潜在风险：11.2纳米波长要求镜面镀膜的精确度更高，反射率需稳定在65%以上，否则光效损失将放大系统缺陷。

俄罗斯声称的“核心技术”主要集中在光源模块和多层膜反射镜上。光源开发过程涉及脉冲放电的精确控制，他们计划通过增加频率和优化冷却系统，将功率推至250瓦，以支持40纳米集成工具的曝光需求。

相比ASML的激光产生等离子体（LPP）方案，俄罗斯的放电等离子体（DPP）路径在体积上更紧凑，预计能将设备尺寸缩小20%，这对资源有限的国家有吸引力。但实际测试数据显示，当前稳定性仅达设计值的70%，热负载管理仍是瓶颈，连续运行时间不足4小时。

这与他们2024年底启动的原型验证一致，当时功率仅10瓦，迭代了数百次电极间距调整，才勉强达到当前水平。

声明中忽略了这些细节，更多强调“自主可控”，却未提资金投入仅50亿卢布的现实，远低于ASML单年研发的数百亿欧元。

俄罗斯的整体集成路径分为三阶段：2026-2028年40纳米工具、2029-2033年28纳米系统、2034-2037年亚10纳米整机。

第一阶段聚焦子系统联调，从2025年9月启动的振动隔离测试，到对准精度的纳米级校准，误差已从微米降至目标值。

这种模块化设计缩短了组装周期30%，区别于苏联时期的散乱研发，现在融入数字化模拟，迭代速度从5年压缩至3年。但10月最新数据表明，联调成功率仅75%，光路密封技术需进一步优化。

声明预测2032年推出28纳米系统，2036年完成EUV整机，却未说明经济性评估：单台40纳米工具成本2亿美元，虽低于ASML的5亿，但预算超支15%，凸显资金分散的制约。

俄罗斯的缺陷控制和生产效率优化同样滞后。他们引入粒子陷阱设计，捕捉杂散离子，缺陷密度从每平方厘米100个降至20个，通过模拟优化几何形状迭代15版。这种主动预测污染物轨迹的机制，准确率达85%，较以往被动过滤进步显著。

但长时间曝光后缺陷反弹，需额外清洗周期，效率仅ASML的70%。能耗管理方面，从2025年5月优化电源模块，峰值功耗降至300千瓦，脉冲整形技术平滑曲线效率升15%。

这强调绿色迭代，但冷却系统仍靠进口部件，成本占预算20%。供应链保障上，本土靶材生产从2月启动，库存周期延至6个月，风险降50%，但产量不足以覆盖中试需求。

俄罗斯声明“比中国更快”的依据在于其简化路径，低门槛预计缩短周期。但这一预测忽略了中国在产业链完整性和资金投入上的优势。

中国从2015年起系统布局，到2025年形成光源到曝光机的闭环生态，国家投入超1000亿元，推进速度快3倍。

上海微电子装备主导的28纳米浸没式机型月产500台，良率90%，远超俄罗斯的70%。中国EUV预研聚焦激光诱导放电等离子体（LDP）技术，2025年3月进入试生产，光源效率4.5%，功率达设计值，高于ASML的2%。华为东莞工厂完成24小时负载运行，分辨率稳定7纳米，较2024样机迭代，光刻胶兼容性升20%。

清华大学的多层膜反射镜反射率达70%，镀膜均匀性±0.5%，通过自动化监测效率40%。中科院优化激光等离子体模块，减少热变形，连续运行超24小时。新凯来3纳米示波器成果，为高NA EUV铺路，从DUV无缝过渡。

俄罗斯努力虽激发本土动力，但短期难撼格局。其孤岛式开发与中国的生态闭环对比，效率低25%，接口标准化迭代10次以上。

声明的核心技术虽有苏联遗产，但更新换代深度不足，资金和供应链制约突出。全球芯片价格稳中微降2%，中国供应链韧性强化，保障安全。

俄罗斯的11.2纳米路径或为新兴市场提供低成本选项，但需克服稳定性挑战。中国自主路径不仅自给自足，还推动产业链升级，助力全球效率提升。

俄罗斯声明反映自立诉求，却需更多实证支撑。中国稳步前行，预计在EUV领域占据主动，贡献人类芯片进步。

俄罗斯的光刻之路充满挑战，其路线图虽雄心勃勃，但从350纳米到EUV的跃升需巨额投入和跨学科协作。

当前130纳米原型月产不足10台，远落后中国28纳米量产。进步在于模块化，但运维复杂性增1.5倍。这一表态提醒我们，技术竞争需警惕外部噪音，专注实干。

俄罗斯的EUV软件迭代虽融入机器学习，但数据集规模小，精度弱。中国平台训练超百万组，动态调整强20%。人才为本，中国重视培养，俄罗斯流失率10%。合作上，中国多边网络广，俄罗斯窄。安全和环境测试，中国多级验证覆盖率高15%。

俄罗斯声明有技术基础，但“更快”缺乏实证。中国积累深厚，路径稳健。这一事件凸显自主创新的重要性，中国将继续前行，铸就科技脊梁。