本周A股三大指数反弹拉升,其中上证指数周涨2.88%,深成指周涨4.73%,创业板指周涨8.05%。本周芯片、消费电子、元件板块涨幅居前,存储芯片、CPO、PCB概念股表现活跃。
本周存储芯片概念涨幅居前,其中盈新发展周涨60.98%,云汉芯城周涨40.55%。消息方面,近期,存储芯片巨头三星电子和SK海力士将上调包括DRAM和NAND在内的存储产品价格,幅度高达30%。据摩根士丹利预测,鉴于明年存储领域可能出现供需失衡,内存芯片行业将迎来“超级周期”。
据高盛最新发布的报告,全球对冲基金对人工智能相关技术硬件的敞口在10月达到了最高水平,并大举买入半导体及相关芯片行业股票。此外高盛表示,对亚洲科技公司的买入推动了新兴市场(除中国以外)的整体资金流入,而对冲基金对于中国市场的押注头寸已达到“多年新高”。
与此同时,受益于人工智能浪潮,存储芯片“超级周期”正全面加速,三星电子、SK海力士已将其DRAM和NAND闪存的价格上调最高达30%。根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测,第四季度DRAM平均售价将上涨25%—26%,比上一季度上涨10%以上,涨价热潮或进一步加剧。另外,高盛在最新发布的报告中,上调了对中国头部云厂商的资本开支预测,AI推理需求激增将推动阿里巴巴、字节跳动等巨头持续加码投资,预计阿里巴巴在2026至2028财年的合计资本开支将达到4600亿元人民币,远高于该公司此前3800亿元的目标。
存储芯片产业链分为上游原材料与设备、中游芯片设计与制造、下游封装测试与模组集成、终端应用场景四大环节,A股存储以模组(佰维存储、江波龙和德明利)涨幅最大,其次还有分销商香农芯创和云汉芯城,后续重点关注封装材料及光刻胶。
DRAM读写速度极快,但相应的成本也较高;NAND Flash具有存储容量大、擦写速度快、单位成本低等特点;2相较于NAND Flash,NOR Flash读取速度快但其擦写速度较慢,单位成本略高。

类型 | 特点 | 应用场景 | 主要厂商 |
DRAM | 高速、易失性、需刷新 | 内存条、手机RAM、服务器内存 | 三星、SK海力士、美光、长鑫存储 |
NAND Flash | 非易失、大容量、低成本 | SSD、UFS、eMMC、存储卡 | 三星、铠侠、西部数据、长江存储 |
NOR Flash | 读取快、写入慢、代码存储 | 嵌入式系统、车载系统、物联网 | 兆易创新、华邦、旺宏 |
利基型DRAM | 特殊应用、小容量 | 工业、车载、网络通信 | 北京君正、东芯股份 |
更新时间:2025-10-28
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