苏州优晶半导体取得气力输送原料的碳化硅晶体生长炉及方法专利

金融界2025年8月12日消息,国家知识产权局信息显示,苏州优晶半导体科技股份有限公司、江苏科技大学取得一项名为“一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法”的专利,授权公告号CN119843356B,申请日期为2025年03月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-08-14

标签:科技   碳化硅   苏州   气力   晶体   半导体   生长   原料   专利   方法   金融界   国家知识产权局   江苏   科技股份有限公司

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