DDR5与HBM供应紧张：我国内存企业加速布局，全球缓解仍需时日；

全球内存短缺

全球内存短缺的当前局面

进入2026年，DRAM和HBM等内存产品供应依然紧张，主要受AI数据中心需求激增影响。相关报告显示，今年数据中心可能消耗全球DRAM产量的七成左右，导致PC、服务器和消费电子领域的内存价格居高不下。DDR5模块溢价明显，部分容量产品短缺情况预计将延续到2027年之后。

多条DDR5内存条堆叠，反映当前市场热门产品短缺现状

这一轮短缺源于生产资源向高带宽内存倾斜，三星、SK海力士和美光等厂商优先满足AI服务器订单，普通消费级供应相对受限。

我国内存厂商的生产进展

我国主要内存企业如长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）近年来加速产能扩张。CXMT已实现LPDDR5X和DDR5系列量产，并计划在2026年底前后启动HBM3相关生产，同时逐步减少DDR4输出，转向更先进制程。YMTC则在NAND基础上增加DRAM线路，部分新厂房将一半产能用于DRAM。

CXMT LPDDR5X内存芯片特写，展示我国企业在先进DRAM上的技术积累

这些扩展举措包括新建产线和后端封装设施，旨在提升整体产量。不过，受设备获取限制影响，我国厂商多采用国产或替代工艺，die尺寸和功耗控制与国际领先水平仍有差距。

面临的实际挑战与市场影响

尽管产能提升，我国内存产品目前主要满足国内需求，出口规模有限。部分企业仍受国际管制影响，先进工具引进受阻，成本控制和良率优化需进一步突破。全球市场中，我国厂商份额虽在增长，但短期内难以大幅补充AI驱动的HBM缺口或压低消费级DDR5价格。

存储器芯片

行业观察显示，一些国际品牌已在测试我国供应商产品，但全面替代仍需时间验证可靠性。

内存市场的未来走势

短期看，2026年内存供应紧张格局难有根本改变，AI应用将继续拉动高端需求。长期而言，我国企业在国产化路径上的持续投入，有望逐步提升全球影响力，推动更多元化的供应链形成。

我国内存厂商的产能扩张为行业注入新变量，但受多重因素制约，彻底缓解全球短缺仍需耐心观察。这一进程反映出半导体领域的稳步演进。