ASML最新研发的光刻机强到离谱。

High-NA EUV突破到0.55，采用13.5纳米极紫外光，一台售价高达3.5亿欧元，约28亿人民币。

2025年上半年，ASML计划量产18A工艺芯片，并于2025下半年完成交付，猜猜优先供货给哪家？

光刻机到底是什么？

光刻机是解决“在硅片上如何制作出电路图样”的设备。

硅片基底表面需要涂抹一层具备高度光敏性的胶，俗称光刻胶，接着用光刻机发射紫外光、深紫外光、极紫外光这类特定光，将掩膜版上的电路图案投射投射到硅片上。

当光刻胶被照射到之后，由于其具备高度光敏性，所以会产生反应，导致留下图案痕迹，接着通过一连串物理化学工序，图案会转变成电路。

一层电路肯定不够，于是就像造房子一样，一层一层的电路不断堆叠在一起，每层之间的误差需要控制在纳米级别，这有多离谱？

人类一根头发丝的直径约50~100微米，约等于5万~10万纳米，意味着芯片精度比头发丝还要细几万倍，稍微有所差池就会前功尽弃。

看着原理似乎也不难，但光刻机不仅仅是一台设备，而是集人类最顶尖的光学、材料、机械、电子、软件等技术于一体的“超级系统”。

造一台顶级光刻机有多难？

为什么会说，光刻机的制造难度是原子弹的十倍、百倍甚至是数百倍？先来看光源。

光的波长越短，光子能量越高，436nm、365nm的传统光源，能生产微米级或低端纳米级芯片，193nm的DUV光源，能生产7~28nm芯片，13.5nm的EUV光源，能生产5nm以下的芯片。

极紫外（EUV）光源需要用功率超过40kw的高能二氧化碳激光，去轰击每秒5万滴液态锡微滴，从而激发出波长13.5nm的极紫外光，其中，激光与锡滴的碰撞误差不差过1纳秒。

Cymer的EUV光源技术涉及高能物理、材料学、光学和精密控制等领域，这些技术筑起的壁垒高墙，使其光源技术遥遥领先，在EUV光源上用“垄断”来形容也不过分。

2025年，Cymer的EUV光源技术再次突破，能效从0.8%进一步提高到5.5%，光源功率从50W提高到250W以上。（美国Cyme：ASML子公司）

除了光源，再来看下镜片。

ASML的顶级EUV光刻机配备德国蔡司镜片，这东西有多离谱？

蔡司通过离子束抛光技术，使得镜片面形精度优于0.1nm，蔡司的镜头平滑度已经接近物理极限，如果把镜片放大到美国领土面积大小，表面起伏才0.4mm，比中子星表面的几毫米粗糙度都要低。

蔡司联合ASML掌握4.3万项专利，在镜片领域可以说一骑绝尘。

以上仅仅简单讨论了“光源”和“镜片”，而一台EUV光刻机的零部件超过10万个，软管长度都要2公里，涉及的领域包括光学、精密机械加工、电子、材料科学、计算机软件、化学化工、物理和热力学等。

这么多零部件基本都要最好的，就连美国都无法将所有先进技术整合在一起，所以美国、德国、日本等掌握部分核心技术的国家，最后集体选中荷兰，一同整合的全球供应商超过5000家。

简而言之，不是荷兰有独立生产最顶尖光刻机的能力，而是西方阵营不论单独拎哪个国家，都造不出最顶级的光刻机，但谁都想要，又不放心把公司设立在美、德、日等国，所以大家“拼团”找个“中间国家”合力研发。

所以网上有两种说法，看似夸张又好像在情理之中。

1.顶级光刻机的制造难度，是原子弹的10倍、50倍甚至100倍。

2.即便公开图纸，你也造不出来。

售价高达28亿元，重150吨！阿斯麦最新光刻机有多恐怖？

ASML最新款High-NA极紫外 (EUV) 光刻机，出彩的地方在于数值孔径(NA)再次得到了突破。

数值孔径越高，微细加工能力越强，分辨率越佳。

NA0.33的EUV光刻机能制造出5~7nm芯片，而这台新款 EUV的NA是0.55，能生产出2nm芯片，可以实现8nm级别的分辨率，如果NA超过0.7，那就能生产出1nm以下的芯片。

这款High-NA极紫外光刻机重约150吨，售价高达3.5亿欧元，约28亿人民币，能轻松生产2nm芯片，并且产品优先提供给英特尔。

除了表面数值“恐怖”之外，最可怕的地方在于，光刻机NA的每次突破，背后都是大量光学、材料、控制技术等领域的集体突破，并不单指某个领域，此间形成的技术壁垒厚到令人感到无奈。