爱思开海力士取得具有低 K 间隔件的半导体器件专利

金融界 2025 年 4 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司取得一项名为“具有低 k 间隔件的半导体器件”的专利,授权公告号 CN114078951B,申请日期为 2021 年 8 月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-04-28

标签:国家知识产权局   间隔   专利   半导体器件   金融界   本文   日期   消息   公告   科技   信息

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