通用电气公司取得具有改进的电场抑制的高压半导体器件专利

金融界 2025 年 4 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,通用电气公司取得一项名为“具有改进的电场抑制的高压半导体器件”的专利,授权公告号 CN113287192B,申请日期为 2019 年 12 月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-04-28

标签:通用电气公司   电场   国家知识产权局   高压   抑制   专利   金融界   本文   日期   消息   半导体器件   科技

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