前言

“一天一个价，部分原厂甚至暂停报价了。”国内某存储模组厂员工的感慨，道出了2025年四季度存储市场的狂热。

DDR416Gb3200现货报价单周暴涨30%，512GbFlashWafer十月累计涨幅超20%，这场涨价潮不仅未趋缓，反而在AI需求的助推下愈演愈烈。

耐人寻味的是，当三星、SK海力士将产能优先转向高利润的HBM（高带宽内存），美光的先进制程产能被提前锁定时，长江存储的294层3DNAND产线正满负荷运转，长鑫存储的DDR5颗粒持续送抵下游厂商。

在这场全球存储格局重构的博弈中，国产力量为何能在周期拐点占据有利位置？这需要从行业规律、需求变革与本土突破三个维度深度解析。

存储芯片的“周期宿命”在业内流传已久：需求爆发带动扩产，产能过剩引发降价，减产去库存后再迎回暖，过去二十年从未偏离这一轨迹。

上一轮周期的峰值出现在2021年，疫情催生的远程办公需求让存储厂商开启扩产竞赛，却在2022年遭遇消费电子需求骤冷，价格暴跌六成的行业寒冬随之而来。

此前的周期切换多由消费电子需求主导，而此次涨价的核心驱动力，是AI引发的产能结构性转移。

HBM的利润率让国际大厂难以抗拒，SK海力士的HBM业务营收已占公司40%以上，其HBM4的带宽达1.5TB/秒，是DDR5的八倍。

为抢占高端市场，三星、美光等纷纷将先进制程产能优先分配给ServerDRAM和HBM，导致DDR4、LPDDR4X等传统产品产能被“计划性牺牲”。

这种结构性调整直接改写了市场规则。国际大厂的“减产保价”不再是单纯的去库存，而是主动的产能再分配。

TrendForce分析师许家源指出，DDR4的紧缺状态可能持续到2026年上半年，这种由技术路线切换引发的供应缺口，为产能集中于成熟制程的中国厂商创造了天然窗口期。

如果说国际大厂的产能调整是“天时”，那么AI驱动的需求爆发则是国产存储的“地利”。

摩根士丹利预测，未来五年全球AI数据中心投资规模将达3万亿美元，这些算力巨兽同时也是存储“饕餮客”。

AI服务器对内存的需求是传统服务器的4-8倍，单机DRAM需求已达1TB级别。

更关键的是，需求结构正从“消费端”向“产业端”深度迁移，OpenAI的Stargate项目每月采购90万片DRAM晶圆，占全球产量近40%，而美光2026年底前的HBM产能已被预订一空。

除了AI服务器，智能汽车的车规级存储需求、工业互联网的边缘计算存储需求，共同构成了多层次的需求矩阵。

长鑫存储的DDR5产品良率达80%，单位成本较韩国厂商低15%-20%，性能可对标三星同类产品，完美匹配AI服务器的基础内存需求。

长江存储则通过Xtacking架构实现突破，294层3DNAND的位密度达15.03Gb/mm²，超越三星、SK海力士的同类产品，为数据中心的大容量存储提供了高性价比选择。需求与供给的精准匹配，让国产存储得以快速切入增量市场。

长江存储在3DNAND领域持续刷新纪录，2025年底前将月产能提升至15万片，2028年三期达产后总产能将达30万片/月，目标占据全球15%的NAND市场份额。

长鑫存储已成为全球第四大DRAM厂商，年产量达273万片，其15nm以下先进制程的DDR5产品带宽达6400Mbps，正逐步打入高端市场。

更值得关注的是，长江存储首条全国产化设备产线已导入试产，长鑫存储三期工厂设备国产化率超50%，标志着国内产业链已摆脱对国外设备的依赖。

当三星、SK海力士为HBM扩产腾挪产能时，长江存储三期扩产计划稳步推进，长鑫存储的车规级存储产能持续释放。

这种“别人减速我加速”的节奏，让国产存储的市场份额快速提升。2024年国内存储芯片自给率已达22.26%，较2020年的不足5%实现跨越式增长。

大基金三期注资超500亿元重点支持存储产业，2025年政府采购要求国产存储占比不低于50%，从资金到市场为国产厂商铺路。

下游生态也同步发力，天硕等模组企业采用长江存储NAND与长鑫存储DDR颗粒，打造出全国产化工业级SSD，已广泛应用于轨道交通、航空航天等关键领域。

尽管站在周期风口，国产存储仍需直面多重考验。

良率与成本仍是悬顶之剑，存储芯片的规模效应显著，只有将良率稳定在高位，才能在价格波动中保持竞争力。

长江存储232层NAND良率超90%的成绩虽亮眼，但更高层数产品的良率控制仍是挑战。

存储芯片横跨材料学、物理学、电子工程等多学科，高端人才的培养周期长达5-8年。

在国际大厂高薪挖角的背景下，如何建立人才培养与留存体系，成为国内企业的长期课题。

生态配套的短板也不容忽视。虽然设备国产化取得突破，但在芯片设计工具、高端封装材料等领域仍有差距。

HBM领域的差距更为明显，目前国产力量主要集中在检测设备、先进封装等环节，核心的芯片制造仍需突破。而HBM预计2030年前将占DRAM市场总营收的50%，这一领域的竞争将直接决定未来产业地位。

存储芯片的“超级周期”或许终将退潮，2026年HBM3e可能面临供过于求压力，但HBM4等更高阶产品的技术门槛仍将维持供需紧平衡。

对于国产存储而言，当下的“黄金窗口”既是扩张机遇，更是补短板的关键期。

长江存储的研发中心里，200层以上的3DNAND样品仍在迭代。

合肥长鑫的工厂外，新一批设备正陆续进场。这些场景背后，是国产存储从“替代”到“引领”的野心。当AI重构存储生态，当全球格局加速调整，国产存储的真正考验不在于能否抓住一次周期红利，而在于能否在技术迭代中建立持续竞争力。

结语

价格涨势终会平缓，但存储作为“数字时代的水电”，其战略价值只会愈发凸显。在这场关于数据存取的卡位赛中，国产力量已迈出关键一步，而未来的胜负，将取决于窗口期内的每一次技术突破与生态构建。