我国长鑫存储推出国产DDR5与LPDDR5X内存

长鑫存储技术（CXMT）近日在2025年中国国际半导体博览会上正式亮相其首款国产DDR5和LPDDR5X内存产品，这是我国DRAM产业在先进制程上的关键突破。DDR5系列支持最高8000 MT/s传输速率，LPDDR5X则达10667 MT/s，这些产品针对服务器、桌面PC和笔记本电脑优化，提供16Gb和24Gb密度选项。CXMT表示，这一发布标志着公司从DDR4/LPDDR4向下一代内存的全面过渡，产能已进入试产阶段，预计2026年上半年实现规模化供应。

长鑫存储推出国产DDR5与LPDDR5X内存

这一里程碑源于CXMT的持续研发投入，早前2024年公司完成DDR5工艺验证，2025年5月启动LPDDR5X 8533Mbps和9600Mbps的量产，10667Mbps版本已进入客户试样。长鑫存储副总裁王晓勇在博览会上指出：“这些产品将助力我国减少对海外内存的依赖，确保供应链稳定。”作为我国唯一大规模DRAM生产商，CXMT的这一步直接响应了AI和高性能计算对高速内存的需求。

DDR5系列的规格与服务器应用

CXMT的DDR5内存采用16Gb和24Gb密度芯片，支持UDIMM、SODIMM、RDIMM、CSODIMM、CUDIMM和TFF MRDIMM等多种模块形式，传输速率最高8000 MT/s。这一规格在数据中心和桌面PC场景中表现出色，能效比DDR4提升30%，功耗控制在1.1V标准下。模块容量从8GB扩展至128GB，适用于多核服务器和游戏主机。

从工程细节看，DDR5的Bank Group架构优化了并行访问，预取深度增至2nB，提升带宽20%。CXMT通过自研19nm工艺实现这一性能，早前2024年12月公司DDR5良率已达80%，目标2025年底升至90%。近期TrendForce报告显示，CXMT的DDR5样品已通过华为和浪潮服务器验证，延迟低于50ns，热稳定性优于三星同级产品10%。这一系列填补了我国在服务器内存的自给空白，预计2026年出货量占本土市场15%。

LPDDR5X的移动与AI优化

LPDDR5X产品线包括12Gb和16Gb密度芯片，传输速率最高10667 MT/s，支持12GB、16GB、24GB和32GB容量，适用于笔记本、嵌入式平台和AI设备。相比LPDDR5，该系列带宽提升66%，功耗降低30%，完全向下兼容LPDDR5标准。模块形式包括LPCAMM，提供更薄封装以适应紧凑设备。

技术实现上，LPDDR5X采用DSC（Die Stacking Chip）和PoP（Package on Package）封装，热阻降低15%，集成on-die ECC实时纠错，确保数据完整性。CXMT在2025年10月IEEE ASICON会议上展示，10667 MT/s版本已派样给小米和OPPO，推理并发支持超50%，适用于移动AI模型如LLM微调。Silicon.co.uk报道指出，这一速度已接近三星的12nm LPDDR5X，CXMT的16nm工艺虽稍落后，却在成本上低20%，预计2026年渗透率达本土笔记本市场的25%。

国产内存市场的自给自足加速

CXMT的DDR5和LPDDR5X发布，标志着我国DRAM产业从跟随到追赶的转折。2025年全球DRAM市场规模超1500亿美元，我国份额仅5%，但CXMT产量翻番，HBM2小批量试产已启动，预计中2025年支持Ascend 910系列AI加速器。TrendForce数据显示，CXMT LPDDR5X良率达85%，目标2026年HBM3进入量产，这一进展源于国家政策支持和垂直整合，如与YMTC合作加速HBM生产。

相比三星/SK海力士的垄断，CXMT的19nm工艺虽落后2-3代，却在本土生态兼容上领先，华为/小米等厂商已转向其内存以降低风险。市场趋势显示，AI需求驱动DRAM价格涨17%，CXMT的国产化将稳定供应，预计2026年我国内存自给率升至30%。挑战在于国际制裁：CXMT的IPO估值3000亿人民币虽吸引投资，却需突破EUV光刻瓶颈以缩小差距。

国产内存的稳健自立之路

CXMT的DDR5 8000 MT/s和LPDDR5X 10667 MT/s产品，通过密度优化和ECC纠错，提供可靠的高性能内存。它在19nm工艺和本土适配上的工程积累，满足服务器与移动AI的实际需求，却也需持续良率提升以实现规模化。整体而言，这一发布巩固了我国DRAM产业的自主基础，推动内存市场从进口依赖向内生增长的平稳演进。