电子发烧友网报道（文/梁浩斌）2025慕尼黑上海电子展上周落幕，在今年的电子展上，功率半导体厂商汇聚N4馆，碳化硅和氮化镓依然是当前功率半导体行业中最受关注的方向。与此同时，在应用方案上，本次展会上不少厂商在数据中心电源上发力，光伏储能、OBC等领域，多家碳化硅厂商已经大规模导入产品。当然，近期火热的人形机器人，也有部分厂商展示出一些基于GaN的方案。

那么下面就来看看本次慕展上，功率半导体领域有哪些值得关注的新品和趋势。

三安半导体

三安半导体在本次展会上展出了从650V到2000V的SiC MSOFET和SBD产品、650V GaN HEMT、8英寸碳化硅衬底以及碳化硅光波导衬底等全系三代半产品。

据了解，目前三安的碳化硅SBD在光伏领域的市场份额表现亮眼，出货量在市场上已经具备较大的领先优势。SiC MOSFET方面在光伏逆变器上正在加速导入，未来配合SBD出货量优势将有很大的潜力。

目前三安半导体已经推出第五代SiC SBD，覆盖650V-2000V、1A-80A规格，具有低正向压降、低反向漏电流、高浪涌电流和雪崩能力等技术优势，部分型号通过AEC-Q100车规认证。

在车规方面，三安半导体此前与ST、理想汽车深度合作，但尚未大规模出货。面向主驱的产品目前主要是1200V 13mΩ/16mΩ SiC MOSFET，目前处于客户验证阶段，这也是国内SiC厂商的主流进度。

在2025年，三安半导体还将推出1200V 12mΩ的车规新品，以及2000V 20mΩ的产品，面向未来兆瓦级充电桩应用。

爱仕特

爱仕特在本次展会上亮相了第四代SiC MOS技术新品，包括1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模块三大系列新品，主要特点是全系产品支持15V/18V双电压驱动，兼容现有采用硅基功率器件的电路，为应用方案升级SiC提供便利。

在MOSFET的部分，首先是导通电阻得到显著降低，1200V单管SiC MOSFET的导通电阻低至10mΩ，适用于800V新能源平台；1700V SiC MOSFET导通电阻为16mΩ，兼顾高耐压与低损耗，为高压应用场景提供极致效率，适用于1000V平台、充电桩、储能等应用领域。

据了解，目前爱仕特SiC MOSFET单管已经向比亚迪等头部新能源大厂的OBC产品实现批量供应并上车。另外，现场还展示了新能源汽车主驱的方案，比如基于爱仕特1200V SiC模块的双电机控制器，应用于商用车。

工作人员向电子发烧友透露，近期商用车市场上1700V SiC模块产品供应紧张。在商用车领域，由于电池容量更大，往往电压会比乘用车更高，随着包括商用车的电动化进程加速，未来1700V车规SiC模块的需求也将迎来新一轮增长。

瞻芯电子

瞻芯电子在这次展出了去年推出的第三代1200V SiC MOSFET技术平台，产品覆盖了650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, 3300V等电压等级。另外还有SiC专用的多种驱动芯片，比如5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x集成负压驱动/短路保护，车规级，集成负压驱动/短路保护功能，以及PMIC芯片。

在封装方面，瞻芯电子推出了TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET产品，采用成熟的第二代1200V SiC MOSFET技术，兼容15V~18V驱动电压，具有散热能力强、开关损耗低等特点。SiC模块方面，瞻芯推出了SMPD封装的半桥模块，同样是顶部散热，具备尺寸小、重量轻、抗振荡等特点，被广泛应用于OBC、便携储能、电机驱动、光伏逆变器等领域。

瀚薪科技

一直以来较为低调的瀚薪在本次展会上展出了其最新的第三代H3M SiC MOSFET产品。相比与上一代产品，H3M具有更低的导通电阻，大幅降低了寄生电容，开关损耗更低；支持15V/18V栅-源电压驱动，更灵活适配不同客户对驱动电压的要求；更高的雪崩能量，增强设备的鲁棒性和安全性；降低Ron温度系数，提高器件的稳定性和可靠性。

H3M SiC MOSFET覆盖650V、750V、1200V、1400V、3300V的电压等级，目前1200V及以下电压产品已经量产，并提供TO-247-4、TO-247-3、TO-220、TO-263-2、TO-263-7、TOLL、T2PAK（顶部散热）等封装，适配新能源汽车（空调压缩机控制器，BMS，OBC，DC-DC）、光伏逆变器、充电桩、工业电源等高需求领域。

在SiC二极管方面，瀚薪H4S系列产品覆盖
650V/750V/1200V/1400V/1700V电压等级，电流范围2A~60A，具备业界极低Vf、超高浪涌电流能力等特性，广泛用于光伏储能系统、车载充电机、数据中心电源等高频高效场景。

据介绍，目前瀚薪与扬杰合资的6寸晶圆厂已经投入运营，而8英寸SiC晶圆厂也正在布局中。

英诺赛科

英诺赛科这次展会上重点展示了数据中心电源的方案，前段时间推出的48V-12V四相2kW 降压电源方案，也在现场展出了Demo。

四相Buck电源方案的精妙之处在于，总负载电流由四相均摊，每相电流仅为总电流的1/4，由于功率损耗与电流平方成正比，因此损耗显著降低，效率提升明显；同时四相波形以90°相位差依次开启，叠加后总输出纹波频率变为单相的4倍，便于滤波，可以采用更少的电容。因此这个方案可以在高功率场景下实现效率、热管理、动态响应及可靠性的全面提升。

英诺赛科在这个方案上采用了4颗100V GaN半桥驱动 IC（INS2002FQ）和16颗100V双面散热的低压GaN FET（INN100EA035A）。INN100EA035A是英诺赛科在2月推出的一款100V E-Mode GaN新品，主要特性是采用了双面冷却，相比传统的单面冷却封装，导热率高65%。这款产品也主要面向数据中心电源、机器人等48V驱动的应用。

一些观察

上面提到的只是很小一部分厂商和产品，当然不是说其他厂商没有值得提到的产品，而是之前我们都已经报道过。

另外有一些观察，小编在最后给大家汇报一下。一是125kW储能PCS产品，导入SiC的意愿比较强烈，不少厂商提到储能市场还是比较乐观的。

二是MOSFET单管、模块，对散热的要求在很多应用中似乎都提高了，从厂商展出的产品，以及交流中提到，顶部散热封装在市场上的表现在近期都不错，尤其是在OBC上的应用。比如华润微、威兆半导体等展出的MSOP系列封装顶部散热的SJ MOSFET产品；士兰微的HSOP8 SJ MOSFET；飞锃半导体、瞻芯的SMPD封装模块等。

三是比亚迪的SiC需求确实非常大，尽管比亚迪已经自建SiC晶圆厂，但目前产能还远不能满足自身，还需要大规模对外采购。对于国内SiC厂商的产品来说，目前比亚迪的OBC是主要应用方向。

四是在这次展会上我还发现有功率厂商已经宣布进军第四代半导体了，开始布局氧化镓器件。至于为什么要这么快官宣做四代半？这就留给大家来解读吧。