周末消息还是不错的,整体偏暖的,这方面给明天的市场一定的预期。
这方面来看,科技方向是受益的。
从近期的盘面来看,存储芯片板块整体走的是不错。
特别是周五西测测试、香农芯创涨幅超10%,大为股份、华虹公司、江波龙等纷纷跟涨。
对于存储芯片,其实市场情绪回暖的背后,不仅是周期性触底的预期兑现,更是一场由人工智能引领的结构性产业升级的需求。
所以,当前我们或许正站在一个从“量变”到“质变”的拐点之上。
过去两年,受全球经济疲软、消费电子需求萎缩影响,DRAM与NAND市场持续低迷,价格一度跌破现金成本线,行业整体陷入亏损。
然而,与以往不同的是,本轮下行周期中,全球存储巨头并未选择“以价换量”,而是集体转向结构学减产与产能重构,或许标志着行业竞争逻辑的根本转变。
直接看数据:根据公开财报汇总
三星在2024年Q2宣布DRAM减产10%、NAND减产25%,这是其近十年来首次大规模主动削减产能;
SK海力士更是将一座成熟DRAM产线转为HBM专用产线,直接体现“高端优先”战略;
美光公开表态不再追求市场份额扩张,转而聚焦高毛利产品线,并大幅削减NAND资本开支。
三大厂商合计占据全球DRAM 95%、NAND 75%以上产能,其集体减产直接推动行业产能利用率从2024年Q4的65%(亏损线)回升至2025年Q3的85%。

其实大家要知道,由于DRAM和NAND技术趋于成熟,产品高度标准化,企业长期陷入“扩产→降价→亏损→减产”的周期循环。
而此次巨头集体“收手”,本质是通过牺牲短期产能利用率来换取长期定价权,推动行业从“产能驱动”向“利润驱动”转型。
更重要的是,这种供给端的主动收缩,叠加渠道与终端库存持续去化,目前原厂库存已回落至健康水平。
这方面带来的影响也很直接,那就是涨价趋势已从预期转为现实

根据TrendForce与CFM闪存市场最新数据:
DRAM:2025年Q2环比上涨8%,Q3继续上涨15%,其中服务器用DDR5内存Q3涨幅达20%;
NAND Flash:Q2上涨5%,Q3上涨12%,UFS 4.0手机闪存涨幅达18%;
企业级SSD:四季度合约价预计涨幅超10%,部分高端型号涨幅达15%。
更关键的是,这是自2023年Q1以来首次出现连续两个季度的涨价,或许表明市场已从“去库存”阶段正式迈入“补库存”周期。
如果说供给端的变化是“量”的调整,那么需求端的演变则是“质”的飞跃。
当前存储市场的真正驱动力,并非来自智能手机或PC的温和复苏,而是AI算力基础设施的爆发式建设。

1、AI服务器成最大增量市场
直接看数据:2025年全球AI服务器出货量预计同比增长55%,达到480万台。
单台AI服务器存储用量是普通服务器的3-5倍,以英伟达H100为例,需配备128GB DDR5 + 4TB NAND,存储成本占比超30%;
仅AI服务器一项,大概就拉动全球存储芯片需求增长40%以上。
2、HBM(高端产品):AI时代需求放大
HBM(高带宽存储器)是GPU的“燃料”,其发展速度直接决定AI训练效率。
直接看数据:
HBM占DRAM总产能不足5%,却贡献了超过20%的利润;
2025年HBM市场规模预计突破120亿美元,四年增长超200%;
3、消费端同步回暖,形成“双轮驱动”
智能手机:2025年全球出货量同比增18%,高端机型普遍搭载512GB-1TB UFS 4.0闪存;
笔记本电脑:AI PC兴起带动内存升级,DDR5渗透率从2024年的35%提升至2025年的60%;
整体上,AI+换机潮的双重拉动,使存储芯片需求转向“回暖”。
长期以来,中国在DRAM和NAND领域高度依赖进口,但近年来,在外部环境压力与内生发展需求双重推动下,国产存储产业链正加速突围。
封测与封装:HBM国产化的关键突破口
HBM的价值不仅在于存储颗粒本身,更在于其复杂的TSV堆叠与2.5D/3D先进封装工艺。
这恰好为国内封测企业提供了的机会。
目前,国内头部封测厂已启动TSV+CoWoS-like封装平台建设,部分企业进入客户验证阶段。
设备与材料:国产化或最新体现业绩
简单来看,存储扩产首先拉动设备与材料需求,这方面随着国产AI芯片(如华为昇腾、寒武纪、壁仞)进入量产阶段,下游系统厂商正主动推动国产存储方案的验证与导入。
综上所述,当前存储芯片板块的走强,或许并非单纯的情绪修复或流动性驱动,而是产业基本面发生根本性变化的结果。
供给端,全球巨头战略收缩,行业出清接近完成,价格企稳回升;
需求端,AI引爆高端存储需求,HBM成为价值高地,推动存储从“通用 commodity”向“高性能算力组件”升级;
国产化,从制造到封测再到系统级应用,国内企业或许在多个环节取得突破。

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更新时间:2025-10-27
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